IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Async SRAM 3.3v Ενσωματωμένα κυκλώματα IC

IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Ασύγχρονη SRAM 3.3v
ΔΕΣΙ | |
Κατηγορία προϊόντος: | SRAM |
RoHS: | Λεπτομέρειες |
4 Mbit | |
512 k x 8 | |
10 ns | |
- | |
Παράλληλα | |
3.6 V | |
2.4 V | |
45 mA | |
- 40 C. | |
+ 85 C | |
Επενδύσεις | |
TSOP-44 | |
Τύπος | |
Ετικέτα: | ΔΕΣΙ |
Τύπος μνήμης: | Ειδικά ΔΔΑ |
Ευαίσθητος στην υγρασία: | - Ναι, ναι. |
Αριθμός λιμένων: | 1 |
Τύπος προϊόντος: | SRAM |
Σειρά: | IS61WV5128BLL |
Υποκατηγορία: | Μνήμη και αποθήκευση δεδομένων |
Τύπος: | Ασύγχρονη |
Μονάδα βάρους: | 0.016579 ουγγιές |
Περιγραφή
Το ISSI IS61WV5128Axx και το IS61/64WV5128Bxx
είναι πολύ υψηλής ταχύτητας, χαμηλής ισχύος, 524.288 λέξεις από
Η IS61 WV5128Axx και η
Το IS61/64WV5128Bxx κατασκευάζεται με τη χρήση υψηλής
Η τεχνολογία CMOS είναι εξαιρετικά αξιόπιστη.
α p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i ο υ p i
αποφέρει υψηλότερες επιδόσεις και χαμηλή κατανάλωση ενέργειας
συσκευές.
Όταν η τιμή CE είναι HIGH (αποκαλείται), η συσκευή υποθέτει
σε κατάσταση αναμονής στην οποία η διάχυση ισχύος μπορεί να είναι
μειώνονται με τα επίπεδα εισόδου CMOS.
Το IS61WV5128Axx και το IS61/64WV5128Bxx λειτουργούν
από μία μονάδα τροφοδοσίας.
Τα IS61WV51 28ALL και IS61/64WV5128BLL είναι διαθέσιμα για την παρακολούθηση των επιβατών.
διαθέτει 36-pin 400-mil SOJ, 36-pin mini BGA και 44-pin
Συσκευές TSOP (τύπου Ι).
Οι IS61WV5128ALS και IS6 1/64WV5128BLS είναι
διαθέσιμα σε 32-pin sTSOP (τύπος I), 32-pin sTSOP (τύπος l),
Συσκευές SOP 32 πινών και TSOP 32 πινών (τύπου I1).
Ειδικά χαρακτηριστικά
Υψηλή ταχύτητα: (IS61/64WV5128ALLBLL)
●Χρόνος πρόσβασης υψηλής ταχύτητας:8, 10, 20 ns
●Μικρή ενεργή ισχύς: 85 mW (τυπική)
●Μικρή ισχύς σε κατάσταση αναμονής: 7 mW (τυπική)
CMOS σε κατάσταση αναμονής
Μικρή ισχύς: (IS61/64WV5128AL S/BLS)
●Χρόνος πρόσβασης υψηλής ταχύτητας: 25, 35 ns
●Μικρή ενεργή ισχύς: 35 mW (τυπική)
●Μικρή ισχύς σε κατάσταση αναμονής: 0,6 mW (τυπική)
CMOS σε κατάσταση αναμονής
●Μια μονάδα τροφοδοσίας
- Από 1.65V έως 2.2V (IS61 WV5128Axx)
- VoD 2.4V έως 3.6V (IS61/64WV5128Bxx)
●Πλήρως στατική λειτουργία: χωρίς ρολόι ή ανανέωση
απαιτείται
●Τρεις καταστάσεις
●Υποστήριξη θερμοκρασίας βιομηχανικών και αυτοκινητοβιομηχανιών
●Διατίθεται χωρίς μόλυβδο
Το IS61WV5128BLL-10TLI είναι ένας ειδικός αριθμός τμήματος για μια συσκευή μνήμης.
Μονάδα στατικής μνήμης τυχαίας πρόσβασης (SRAM) κατασκευασμένη από την Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI).
Εδώ είναι μερικές πληροφορίες σχετικά με αυτή τη συγκεκριμένη συσκευή μνήμης:
- Δυνατότητα μνήμης: 128 megabits (Mb) ή 16 megabytes (MB)
- Τύπος μνήμης: Ασύγχρονη SRAM
- Χρόνος πρόσβασης: 10 ns (νανοδευτερόλεπτα)
- Οργάνωση: 4 τράπεζες x 4.096 σειρές x 2.048 στήλες
- Τύπος συσκευασίας: 44-pin TSOP (Thin Small-Outline Package)
- Περιοχή θερμοκρασίας: Βιομηχανική (-40°C έως +85°C)
- Τροφοδοσία τάσης: Το IS61WV5128BLL-10TLI λειτουργεί με εύρος τροφοδοσίας τάσης από 2,7V έως 3,6V.
- Πυκνότητα: Η συσκευή μνήμης έχει πυκνότητα 128 megabits (Mb), που ισοδυναμεί με 16 megabytes (MB).
- Χρόνος πρόσβασης: Ο χρόνος πρόσβασης καθορίζει την ταχύτητα με την οποία τα δεδομένα μπορούν να διαβαστούν ή να γραφτούν στη μνήμη.
- Στην περίπτωση αυτή, ο χρόνος πρόσβασης είναι 10 νανοδευτερόλεπτα (n), γεγονός που υποδηλώνει σχετικά γρήγορη λειτουργία.
- Οργάνωση: Η μνήμη είναι οργανωμένη σε 4 τράπεζες, με κάθε τράπεζα να αποτελείται από 4.096 σειρές και 2.048 στήλες.
- Η οργάνωση αυτή επιτρέπει την αποτελεσματική αποθήκευση και ανάκτηση δεδομένων.
- Τύπος συσκευασίας: Το IS61WV5128BLL-10TLI διατίθεται σε 44-pin TSOP (Thin Small-Outline Package).
- Η συσκευή αυτή χρησιμοποιείται συνήθως για ολοκληρωμένα κυκλώματα και παρέχει ένα συμπαγές σχεδιασμό για εύκολη ενσωμάτωση σε
- ηλεκτρονικά συστήματα.
- Περιοχή θερμοκρασίας: Η μνήμη έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί σε βιομηχανική περιοχή θερμοκρασίας από -40 °C έως +85 °C.
- Το ευρύ αυτό εύρος θερμοκρασιών επιτρέπει την αξιόπιστη λειτουργία σε διάφορα περιβάλλοντα.