STL150N3LLH5 N-CH MOSFET IC 30V 195A POWERFLAT N P Channel Mosfet
Κατηγορία:
N P Διάδρομος Mosfet
Τιμή:
Email us for details
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union
Προδιαγραφές
Κωδικός ημερομηνίας:
Τελευταίος κωδικός
Ναυτιλία:
DHL/UPS/FEDEX
Υπόθεση:
Νέο*Πρωτότυπο
Εγγύηση:
365 ημέρες
Χωρίς μόλυβδο:
Συμμόρφωση Rohs
Χρόνοι προόδου:
Αμέσως αποστολή
Πακέτο:
WPAK8
Στυλ εγκατάστασης:
Επενδύσεις
Επισημαίνω:
ΣΤL150N3LLH5
,Διάταξη για την παρακολούθηση των επιπτώσεων της παρακολούθησης
,Επικαιροποιημένη συσκευή
Εισαγωγή
STL150N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 195A POWERFLAT ΝΡ Διάδρομος Mosfet
| STMικροηλεκτρονική | |
| Κατηγορία προϊόντος: | MOSFET |
| RoHS: | Λεπτομέρειες |
| Ναι. | |
| Δοκιμαστική συσκευή | |
| PowerFLAT-5x6-8 | |
| N-Κανάλι | |
| 1 κανάλι | |
| 30 V | |
| 150 Α | |
| 10,75 μΩμ | |
| - 22 V, + 22 V | |
| - 55 C. | |
| + 150 C | |
| 80 W | |
| Βελτίωση | |
| ΣΤΡΙΠΦΕΤ | |
| ΣΤL150N3LLH5 | |
| Ρολ | |
| Κόψτε την ταινία | |
| MouseReel | |
| Ετικέτα: | STMικροηλεκτρονική |
| Διαμόρφωση: | Μονό |
| Ώρα πτώσης: | 47.8 ns |
| Υψόμετρο: | 00,81 mm |
| Διάρκεια: | 5 χιλιοστά |
| Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
| Ώρα άνοδος: | 30.8 ns |
| Υποκατηγορία: | MOSFETs |
| Τύπος τρανζίστορ: | 1 Ν-Κανάλι |
| Τυπικός χρόνος καθυστέρησης σβήσης: | 65.8 ns |
| Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: | 17.2 ns |
| Διάμετρο: | 6 χιλιοστά |
| Μονάδα βάρους: | 00,002681 ουγγ. |
Περιγραφή
Αυτή η τεχνολογία STripFETTMV Power MOSFET είναι μία από τις τελευταίες βελτιώσεις, οι οποίες
ειδικά σχεδιασμένα για να επιτυγχάνουν πολύ χαμηλή αντίσταση σε κατάσταση λειτουργίας, παρέχοντας επίσης ένα από τα καλύτερα FOM στην κατηγορία τους.
Αυτό το προϊόν χρησιμοποιεί την 5η γενιά των κανόνων σχεδιασμού της τεχνολογίας STripFET TM της ST.
Το 1ο διαθέσιμο RDS ((on) *Qg. σε αυτό το πακέτο κλίμακας τσιπ. κάνει αυτή τη συσκευή κατάλληλη για τις περισσότερες
απαιτητικές εφαρμογές μετατροπέα DC-DC, όπου
πρέπει να επιτευχθεί υψηλή πυκνότητα ισχύος.
Το 1ο διαθέσιμο RDS ((on) *Qg. σε αυτό το πακέτο κλίμακας τσιπ. κάνει αυτή τη συσκευή κατάλληλη για τις περισσότερες
απαιτητικές εφαρμογές μετατροπέα DC-DC, όπου
πρέπει να επιτευχθεί υψηλή πυκνότητα ισχύος.
Χαρακτηριστικά
■ RDS (επικαιροποιημένο) * Qg βιομηχανικό σημείο αναφοράς
■ Εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση RDS (σε λειτουργία)
■ Υψηλή ανθεκτικότητα σε χιονοστιβάδες
■ Μικρές απώλειες ισχύος
Εφαρμογή
■ Εναλλαγή εφαρμογών
Το STL150N3LLH5 είναι ένα τρανζίστορ MOSFET ισχύος N καναλιού που κατασκευάζεται από την STMicroelectronics.
Αποτελεί μέρος της σειράς STripFETTM V και έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές υψηλής απόδοσης και χαμηλής απόρριψης.
Αυτό το MOSFET έχει μέγιστη τάση αποστράγγισης προς πηγή 30V και συνεχές ρεύμα αποστράγγισης 35AΕπικεφαλής [1].
Βασικές προδιαγραφές του STL150N3LLH5:
- Τύπος: MOSFET ισχύος N-καναλιού
- Vgs (η τάση πύλης προς πηγή): ±22V
- ID (συνεχές ρεύμα αποχέτευσης): 35A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1,75mΩ @ 17,5A, 10V
- Συσκευή/Κουτί: 8-PowerVDFN
- Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C έως 150°C
- Δυναμική διάσπαση-μέγιστη: 114W Tc
- Τεχνική διάταξη για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
- Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 17,2 δευτερόλεπτα
- Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης: 65.8ns
- Χρόνος άνοδος: 30,8s
- Χρόνος πτώσης (τύπος): 47,8ns
- Διορισμός ενέργειας χιονοστιβάδας (Eas): 300mJ
- Μέγεθος: 5 mm x 6 mm x 950 μm[3]
Εφαρμογές:
- Ηλεκτρικές τροφοδοσίες και διακόπτες τροφοδοσίας
- Έλεγχος κινητήρα
- Αξονιστές
- Βιομηχανία αυτοματισμού για τη μετατόπιση κυμάτων
Στείλετε το RFQ
Αποθέματα:
Τροποποιημένο:
1pcs
