ISL6625ACRZ-T Οδηγός μισής γέφυρας πύλης IC μη αναστρέψιμη 8-DFN (2x2)
ISL6625ACRZ-T Οδηγός μισής γέφυρας πύλης IC μη αναστρέψιμη 8-DFN (2x2)
| Ηλεκτρονική Renesas | |
| Κατηγορία προϊόντος: | Οδηγοί πύλης |
| RoHS: | Λεπτομέρειες |
| Οδηγοί πύλης MOSFET | |
| Υψηλή πλευρά, χαμηλή πλευρά | |
| Δοκιμαστική συσκευή | |
| 2 Οδηγός | |
| 2 Έκδοση | |
| 20 mA | |
| 5.5 V | |
| 13.2 V | |
| 31 μs | |
| 18 ns | |
| 0 C | |
| + 70 C | |
| ISL6625Α | |
| Ρολ | |
| Κόψτε την ταινία | |
| Ετικέτα: | Renesas / Intersil |
| Υψόμετρο: | 00,9 mm |
| Διάρκεια: | 2 χιλιοστά |
| Ευαίσθητος στην υγρασία: | - Ναι, ναι. |
| Τύπος προϊόντος: | Οδηγοί πύλης |
| Υποκατηγορία: | PMIC - Κύκλοι διασύνδεσης διαχείρισης ενέργειας |
| Τεχνολογία: | Ναι. |
| Διάμετρο: | 2 χιλιοστά |
| Μονάδα βάρους: | 0.000388 ουγγιές |
Ο ISL6625A είναι ένας υψηλής συχνότητας οδηγός MOSFET που έχει σχεδιαστεί για να οδηγεί ανώτερη και χαμηλότερη ισχύ N-Channel
Τα MOSFET σε ασύγχρονη διορθωμένη τοπολογία μετατροπέα buck.Στο ISL6625A, οι άνω και κάτω πύλες είναι
Η τεχνολογία αυτή παρέχει τη δυνατότητα βελτιστοποίησης των εφαρμογών που περιλαμβάνουν
Η προώθηση της αλληλεπίδρασης μεταξύ των διαδρόμων
Η ενσωματωμένη λειτουργία του MOSFET αποτρέπει την ταυτόχρονη διενέργεια τόσο των άνω όσο και των κατώτερων MOSFET και ελαχιστοποιεί την
Το ISL6625A έχει 10kΩ ενσωματωμένο αντίσταση υψηλής πλευράς πύλης προς την πηγή για να αποτρέψει τον εαυτό του από την ανάφλεξη λόγω
Το σύστημα αυτό διαθέτει επίσης ένα σύστημα προστασίας από υπερτάσεις, το οποίο λειτουργεί ενώ η VCC
Ο PHASEnode συνδέεται με την πύλη του χαμηλού MOSFET (LGATE) μέσω
μια αντίσταση 30kΩ, που περιορίζει την τάση εξόδου του μετατροπέα κοντά στο κατώτατο όριο της πύλης του MOSFET.
Αυτό εξαρτάται από το αν το ρεύμα μεταφέρεται, το οποίο παρέχει κάποια προστασία στο φορτίο σε περίπτωση που το άνω ρεύμα δεν μπορεί να μειωθεί.
Τα MOSFETs συντομεύονται.
Εφαρμογές
• Ρυθμιστές τάσης υψηλής απόδοσης ελαφρού φορτίου
• Ρυθμιστές πυρήνα για προηγμένους μικροεπεξεργαστές
• Μετατροπές υψηλού ρεύματος συνεχούς ρεύματος
Χαρακτηριστικά
• Δύο κινητήρες MOSFET για συγχρονισμένη διορθωμένη γέφυρα
• Προχωρημένη προσαρμοστική προστασία μηδενικής εκτόξευσης- ανίχνευση PHASE- ανίχνευση LGATE- αυτόματο μηδενικό αποτέλεσμα αντιστάθμισης αγωγιμότητας rDS ((ON)
• Χαμηλή τάση παραμερισμού σε αναμονή
• 36V εσωτερικός διακόπτης bootstrap
• Πρόληψη της υπερφόρτισης του πυκνωτή Bootstrap
• Ενσωματωμένη αντίσταση πύλης προς πηγή υψηλής πλευράς για την αποτροπή της αυτο-ενέργειας λόγω υψηλής τάσης εισόδου του δρόμου dV/dt
• Προστασία κατά της υπερτάσης προ-POR για την εκκίνηση και την διακοπή λειτουργίας
• Προστασία από χαμηλή τάση των σιδηροτροχιών
• Επεκτάσιμα κατώτατα χαλκού για βελτιωμένη αποθήκευση της θερμότητας
• Δύο επίπεδες συσκευασίες χωρίς μόλυβδο (DFN) - Πλησιάζουν την κλίμακα του πακέτου σε κλίμακα τσιπ· βελτιώνουν την αποτελεσματικότητα των PCB και είναι πιο λεπτές στο προφίλ• Χωρίς Pb (συμμορφούμενες με το RoHS)
